G.SKILL 8 GB (2 x 4 GB) DDR3 1600 MHz, CL11 minne

G.Skills DDR3 SO-DIMM-kit innehåller två 4 GB-moduler för en total kapacitet på 8 GB, avsett för uppgradering av bärbara datorer och kompakta system. Kitet är optimerat för dual-channel-drift, vilket förbättrar dataöverföringshastigheten på system som stödjer tekniken. Med en klockfrekvens på 1600 MHz och en CAS-latens på 11 levererar minnet en stabil prestanda för vardagliga applikationer och multitasking. Denna konfiguration ger en märkbar förbättring av systemets responsivitet jämfört med system med mindre minne eller enkelkanalskonfiguration.

Modulerna arbetar med en driftspänning på 1.35 V, vilket minskar strömförbrukningen och därmed bidrar till längre batteritid och lägre värmeutveckling. Dess 204-pins SO-DIMM-formfaktor är standard för DDR3-kompatibla notebooks, vilket garanterar bred kompatibilitet. Utan en monterad kylfläns har modulerna en standardhöjd på 30 mm, vilket säkerställer att de passar i de flesta chassin utan installationsproblem. Detta är ett obuffrat minne utan stöd för felkorrigering (ECC), vilket är typiskt för konsumentinriktade system.

• Minneskapacitet: 8 GB (2 x 4 GB)
• Minnestyp: DDR3
• Formfaktor: SO-DIMM (204-pin)
• Hastighet: 1600 MHz
• Latens: CL11
• Spänning: 1.35 V
• Kanalkonfiguration: Dual-channel
• Avsedd för: Bärbara datorer
• Bufferttyp: Obuffrad
• Felkorrigering (ECC): Nej