Коротко о товаре
Найдите похожие товары выбрав одну или несколько ключевых особенностей товара.| Технические характеристики | |
| Тип устройства | SSD |
| Вес и размеры | |
| Вес | 9,5 g |
| Высота | 22,1 mm |
| Ширина | 80,2 mm |
| Глубина | 3,88 mm |
| Энергопитание | |
| Рабочее напряжение | 3.3 V |
| Максимальное потребление энергии | 8,8 W |
| Среднее потребление энергии | 10,5 W |
| Внешние условия | |
| Диапазон рабочих температур | 0 - 70 °C |
| Ударная нагрузка в рабочем режиме | 1500 G |
| Ударная нагрузка в нерабочем режиме | 1500 G |
| Вибрация в нерабочем режиме | 20 G |
| Вибрация в рабочем режиме | 20 G |
| Данные об упаковке | |
| Тип упаковки | Коробочная версия |
| Прочие свойства | |
| Цвет товара | Черный |
| Гарантийный срок | 5 лет |
| Свойства | |
| 8 TB | |
| Интерфейс | PCI Express 5.0 |
| Алгоритмы шифрования данных | 256-bit AES |
| Среднее время наработки на отказ | 1500000 h |
| Тип памяти | V-NAND TLC |
| Скорость передачи данных | 5 Gbit/s |
| Error-correcting code (ECC) | ![]() |
| Скорость считывания | 14800 MB/s |
| Скорость записи | 13400 MB/s |
| Поддержка Hot-Plug | ![]() |
| Поддержка S.M.A.R.T. | ![]() |
| Поддержка TRIM | ![]() |
| Случайная запись (4KB) | 2600000 IOPS |
| Случайное чтение (4KB) | 2200000 IOPS |
| Комплектующие для | ПК/ноутбук |
| Литография | 5 nm |
| Улучшенная технология Защиты Данных при Потере Питания | ![]() |
| аппаратное шифрование | ![]() |
| Температура мониторинга SSD | ![]() |
| линии данных интерфейса PCI Express | x4 |
| защита данных End-to-End | ![]() |
| оценка суммарного числа записываемых байтов | 4800 |
| форм-фактор тевродотельного диска | M.2 |
| NVMe | ![]() |
| версия NVMe | 2.0 |
| Поддержка DevSlp (device sleep) | ![]() |
| Температурный мониторинг и журналирование | ![]() |
| EAN | 8806095811680 |
| Гарантия | 2 лет |
Накопитель Samsung 9100 PRO представляет собой высокопроизводительный внутренний твердотельный диск, ориентированный на использование в современных высокоскоростных ПК и рабочих станциях. Имея большую емкость 8 ТБ, он использует интерфейс PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 и форм-фактор M.2 2280. Данная конфигурация обеспечивает впечатляющую скорость передачи данных: последовательное чтение достигает 14800 МБ/с, а запись — 13400 МБ/с. Эти показатели производительности подходят для задач, требующих минимальной задержки, включая профессиональное редактирование контента и ресурсоемкие игровые нагрузки.
Диск построен на основе фирменной памяти Samsung V-NAND TLC, что способствует высокому ресурсу и долговечности при интенсивной эксплуатации. Ресурс записи (TBW) составляет 4800, а показатель MTBF достигает 1,5 миллиона часов. Для обеспечения безопасности данных предусмотрено аппаратное шифрование стандарта AES-256 и защита данных от начала до конца (end-to-end data protection). Устройство также поддерживает режим сна DEVSLP, что позволяет снизить энергопотребление в режиме ожидания.
Ключевые особенности:- Емкость 8 ТБ
- Интерфейс PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0
- Скорость последовательного чтения до 14800 МБ/с
- Скорость последовательной записи до 13400 МБ/с
- Производительность случайного чтения до 2 200 000 IOPS
- Технология V-NAND TLC
- Ресурс записи 4800 TBW
- Аппаратное шифрование AES-256
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 09:00 - 17:00
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Время доставки: 15.12 - 17.12
Время доставки: 16.12 - 17.12
Время доставки: 15.12 - 16.12
Время доставки: 16.12 - 17.12
Время доставки: 16.12
Время доставки: 15.12 - 17.12
Время доставки: 15.12 - 17.12
Время доставки: 16.12


