Коротко о товаре
Найдите похожие товары выбрав одну или несколько ключевых особенностей товара.| Технические характеристики | |
| Тип устройства | SSD |
| Вес и размеры | |
| Вес | 6 g |
| Высота | 4 mm |
| Ширина | 22 mm |
| Глубина | 80 mm |
| Внешние условия | |
| Ударная нагрузка в рабочем режиме | 1500 G |
| Данные об упаковке | |
| Тип упаковки | Подвесная коробка |
| Прочие свойства | |
| Тип охлаждения | Пассивный |
| Скорость последовательной записи | 4500 MB/s |
| Последовательное чтение | 5300 MB/s |
| CE, UKCA | |
| Свойства | |
| 1000 GB | |
| Интерфейс | PCI Express 4.0 |
| Среднее время наработки на отказ | 1500000 h |
| Error-correcting code (ECC) | ![]() |
| Скорость считывания | 5300 MB/s |
| Скорость записи | 4500 MB/s |
| Поддержка Hot-Plug | ![]() |
| Поддержка S.M.A.R.T. | ![]() |
| Поддержка TRIM | ![]() |
| Улучшенная технология Защиты Данных при Потере Питания | ![]() |
| аппаратное шифрование | ![]() |
| Температура мониторинга SSD | ![]() |
| линии данных интерфейса PCI Express | x4 |
| защита данных End-to-End | ![]() |
| оценка суммарного числа записываемых байтов | 600 |
| форм-фактор тевродотельного диска | M.2 |
| Сегмент рынка | Потребитель |
| NVMe | ![]() |
| версия NVMe | 1.4 |
| Последовательная скорость записи (ATTO) | 4500 MB/s |
| Поддержка DevSlp (device sleep) | ![]() |
| Температурный мониторинг и журналирование | ![]() |
| Сертификаты устойчивого развития | Triman |
| EAN | 4034303033966 |
Накопитель Intenso MI500 представляет собой внутренний твердотельный диск объемом 1 ТБ, разработанный для ускорения систем, требующих высокой пропускной способности. Используя интерфейс PCIe Gen 4 x4 и протокол NVMe 1.4, этот SSD обеспечивает значительно более высокую скорость передачи данных по сравнению с предыдущими поколениями. Последовательная скорость чтения достигает 5300 МБ/с, а последовательная скорость записи составляет 4500 МБ/с. Эти показатели подходят для требовательных сценариев использования, включая игровые приложения и обработку медиаконтента.
Накопитель выполнен в стандартном форм-факторе M.2 2280, что обеспечивает совместимость с большинством современных настольных и портативных систем. В конструкции используется флэш-память типа 3D-NAND. Ресурс записи (TBW) составляет 600 терабайт, а заявленное время наработки на отказ (MTBF) — 1,5 миллиона часов. Диск поддерживает функции мониторинга S.M.A.R.T. и оптимизации TRIM для поддержания производительности на протяжении всего срока службы.
Ключевые особенности:- Емкость накопителя 1000 ГБ
- Интерфейс подключения PCIe Gen 4 x4 NVMe
- Скорость последовательного чтения до 5300 МБ/с
- Скорость последовательной записи до 4500 МБ/с
- Форм-фактор M.2 2280
- Использование флэш-памяти 3D-NAND
- Ресурс записи 600 TBW
- Время наработки на отказ 1,5 млн часов
- Поддержка технологий S.M.A.R.T. и TRIM
- Ударопрочность 1500 G
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 09:00 - 17:00
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Время доставки: 15.12 - 17.12
Время доставки: 16.12 - 17.12
Время доставки: 15.12 - 16.12
Время доставки: 16.12 - 17.12
Время доставки: 16.12
Время доставки: 15.12 - 17.12
Время доставки: 15.12 - 17.12
Время доставки: 16.12
- leaflet (English)


