Samsung 8GB (1 x 8GB) DDR5 4800 MHz, CL40 Memory

Модуль памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK представляет собой компонент стандарта DDR5 в форм-факторе SO-DIMM, разработанный для установки в ноутбуки и другие системы с ограниченным пространством. Общий объем памяти составляет 8 ГБ, а тактовая частота достигает 4800 МГц, что обеспечивает необходимый уровень производительности для современных операционных систем и приложений. Модуль изготовлен в соответствии со стандартами JEDEC, что гарантирует его совместимость с широким спектром устройств, поддерживающих 262-контактные разъемы DDR5 SO-DIMM.

Память работает при стандартном для DDR5 напряжении 1.1 В, что способствует снижению энергопотребления портативных устройств. Показатель CAS Latency (CL) составляет 40. Встроенная технология On-Die ECC (Error-Correcting Code) обеспечивает коррекцию ошибок на уровне чипа, повышая целостность данных и общую стабильность системы. Данный модуль не поддерживает профили разгона Intel XMP или AMD EXPO и предназначен для работы на стандартных частотах.

• Объем памяти 8 ГБ
• Тип памяти DDR5
• Форм-фактор SO-DIMM для ноутбуков
• Тактовая частота 4800 МГц
• Латентность CAS CL40
• Напряжение питания 1.1 В
• Количество контактов 262
• Поддержка On-Die ECC для стабильности данных