Коротко о товаре
Найдите похожие товары выбрав одну или несколько ключевых особенностей товара.| Технические характеристики | |
| Тип устройства | SSD |
| Вес и размеры | |
| Вес | 8 g |
| Высота | 2.23 mm |
| Ширина | 22 mm |
| Глубина | 80 mm |
| Энергопитание | |
| Рабочее напряжение | 3.3 V |
| Внешние условия | |
| Диапазон рабочих температур | 0 - 70 °C |
| Ударная нагрузка в рабочем режиме | 1500 G |
| Максимальная температура при эксплуатации | 70 °C |
| Минимальная температура эксплуатации | 0 °C |
| Прочие свойства | |
| Скорость последовательной записи | 900 MB/s |
| Последовательное чтение | 1700 MB/s |
| CE | |
| Свойства | |
| 512 GB | |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 |
| Сертификация | FCC, BSMI, KC, RCM |
| Среднее время наработки на отказ | 2000000 h |
| Тип памяти | 3D NAND |
| Скорость передачи данных | 32 Gbit/s |
| Error-correcting code (ECC) | ![]() |
| Скорость считывания | 1700 MB/s |
| Скорость записи | 900 MB/s |
| Поддержка S.M.A.R.T. | ![]() |
| Поддерживаемые операционные системы Windows | Windows 10, Windows 7, Windows 8 |
| Поддерживаемые операционные системы Linux | Kernel 2.6.31, Kernel 2.6.33, Kernel 3.12, Kernel 3.3, Kernel 4.6.4 |
| Поддержка TRIM | ![]() |
| Случайная запись (4KB) | 140000 IOPS |
| Случайное чтение (4KB) | 160000 IOPS |
| Комплектующие для | ПК |
| Задержка чтения | 200 µs |
| Случайная запись (100% диапазона) | 140000 IOPS |
| аппаратное шифрование | ![]() |
| линии данных интерфейса PCI Express | x4 |
| оценка суммарного числа записываемых байтов | 200 |
| форм-фактор тевродотельного диска | M.2 |
| NVMe | ![]() |
| версия NVMe | 1.3 |
| Логистические данные | |
| Код гармонизированной системы описания (HS) | 84717070 |
| EAN | 0760557850212 |
| Гарантия | 1 год |
Твердотельный накопитель Transcend TS512GMTE112S разработан для систем, требующих повышенной пропускной способности и быстрого доступа к данным. Он использует интерфейс PCIe Gen3 x4 и протокол NVMe 1.3, что обеспечивает улучшенную производительность по сравнению с традиционными SATA-решениями. Накопитель емкостью 512 ГБ способен достигать последовательной скорости чтения до 1700 МБ/с и записи до 900 МБ/с, что критически важно для работы с большими файлами и сокращения времени загрузки ресурсоемких приложений.
Накопитель выполнен в стандартном форм-факторе M.2 2280, что гарантирует широкую совместимость с современными настольными компьютерами и ноутбуками, поддерживающими NVMe. Использование флэш-памяти 3D NAND способствует высокой плотности хранения и общей энергоэффективности устройства. Заявленный ресурс записи составляет 200 TBW, обеспечивая надежность при интенсивной ежедневной эксплуатации.
Ключевые особенности:- Емкость 512 ГБ
- Форм-фактор M.2 2280
- Интерфейс PCIe Gen3 x4 NVMe 1.3
- Максимальная скорость последовательного чтения 1700 МБ/с
- Максимальная скорость последовательной записи 900 МБ/с
- Производительность случайного чтения до 160 000 IOPS
- Технология флэш-памяти 3D NAND
- Ресурс записи (TBW) 200 ТБ
- Среднее время наработки на отказ (MTBF) 2 000 000 часов
- Поддержка коррекции ошибок ECC и команды TRIM
- Ударопрочность до 1500 G
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 09:00 - 17:00
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 10:00 - 18:00
Срок доставки: 15.12 - 17.12
Сегодня: 10:00 - 17:00
Время доставки: 15.12 - 17.12
Время доставки: 16.12 - 17.12
Время доставки: 15.12 - 16.12
Время доставки: 16.12 - 17.12
Время доставки: 16.12
Время доставки: 15.12 - 17.12
Время доставки: 15.12 - 17.12
Время доставки: 16.12
- leaflet (English)


