Tärkeimmät tekniset tiedot
Valitse yksi tai useampi ominaisuus etsiäksesi tuotteita, joilla on samat tekniset tiedot.| Tekniset tiedot | |
| Laitteen tyyppi | SSD |
| Paino ja mitat | |
| Paino | 9,5 g |
| Tuotteen korkeus | 22,1 mm |
| Tuotteen leveys | 80,2 mm |
| Tuotteen syvyys | 3,88 mm |
| Virranhallinta | |
| Käyttöjännite | 3.3 V |
| Tehonkulutus (maks.) | 8,8 W |
| Tehonkulutus (keskimääräinen) | 10,5 W |
| Ympäristöolosuhteet | |
| Käyttölämpötila (T-T) | 0 - 70 °C |
| Iskunkestävyys käytön aikana | 1500 G |
| Iskunkestävyys toimimattomana | 1500 G |
| Ei tärinää käytön aikana | 20 G |
| Tärinä käytön aikana | 20 G |
| Pakkaustiedot | |
| Pakkaustyyppi | Laatikko |
| Muut ominaisuudet | |
| Tuotteen väri | musta |
| Takuuaika | 5 vuosi/vuosia |
| Ominaisuudet | |
| Levyn kapasiteetti | 8 TB |
| Käyttöliittymä | PCI Express 5.0 |
| Tietoturva-algoritmit | 256-bit AES |
| Keskimääräinen vikaantumisaika | 1500000 h |
| Muistityyppi | V-NAND TLC |
| Tiedonsiirtonopeus | 5 Gbit/s |
| ECC | ![]() |
| Lukunopeus | 14800 MB/s |
| Kirjoitusnopeus | 13400 MB/s |
| Käytönaikaisen vaihdon tuki | ![]() |
| S.M.A.R.T. tuki | ![]() |
| TRIM-tuki | ![]() |
| Random write (4KB) | 2600000 IOPS |
| Random read (4KB) | 2200000 IOPS |
| Komponentti (tuotteelle) | PC/Laptop |
| Litografia | 5 nm |
| Enhanced Power Loss Data Protection-tekniikka | ![]() |
| Laitteistosalaus | ![]() |
| SSD lämpötilan valvonta | ![]() |
| PCI Express-käyttöliittymän tietokaistat | x4 |
| End-to-End Data-suojaus | ![]() |
| TBW-taso | 4800 |
| SSD-malli | M.2 |
| NVMe | ![]() |
| NVMe -versio | 2.0 |
| DevSlp (laite lepotilassa) -tuki | ![]() |
![]() | |
| EAN | 8806095811680 |
| Takuu | 2 vuotta |
Samsung 9100 PRO 8 TB sisäinen SSD on suunniteltu erittäin vaativiin työkuormiin hyödyntäen PCIe 5.0 x4 NVMe -liitäntää. Aseman arkkitehtuuri on optimoitu tarjoamaan huippuluokan siirtonopeudet moderneissa tietokonejärjestelmissä. Sen peräkkäinen lukunopeus yltää jopa 14 800 MB/s ja kirjoitusnopeus 13 400 MB/s, mikä takaa välittömän vasteajan tiedostojen siirrossa ja suurten sovellusten käynnistyksessä. Tämä suorituskyky on keskeinen elementti ammattitason sisällöntuotannossa ja huippuluokan pelaamisessa.
Massiivinen 8 teratavun kapasiteetti mahdollistaa erittäin kattavan tallennusratkaisun yhdelle M.2 2280 -muotoiselle levylle. Levyn rakenteessa käytetty Samsung V-NAND TLC -teknologia on suunniteltu tarjoamaan luotettavaa suorituskykyä pitkällä aikavälillä, jota tukee 4800 TBW:n kestävyysluokitus. Asema sisältää myös laitteistopohjaisen 256-bittisen AES-salauksen ja päästä päähän ulottuvan tietosuojan, mikä on kriittinen ominaisuus arkaluontoisen datan käsittelyssä. Sen ilmoitettu MTBF-aika on 1,5 miljoonaa tuntia.
Tärkeimmät ominaisuudet:- Tallennuskapasiteetti 8 TB
- Liitäntä PCIe 5.0 x4 NVMe (Gen5)
- Jatkuva lukunopeus 14 800 MB/s
- Jatkuva kirjoitusnopeus 13 400 MB/s
- Satunnainen luku 2 200 000 IOPS
- Muotokerroin M.2 2280
- Kestävyysluokitus 4800 TBW
- Laitteistopohjainen 256-bittinen AES-salaus
- NAND-tyyppi Samsung V-NAND TLC
Arvioitu toimitus: 15.12. - 17.12.
Tänään: 10:00 - 18:00
Arvioitu toimitus: 15.12. - 17.12.
Tänään: 09:00 - 17:00
Arvioitu toimitus: 15.12. - 17.12.
Tänään: 10:00 - 17:00
Arvioitu toimitus: 15.12. - 17.12.
Tänään: 10:00 - 18:00
Arvioitu toimitus: 15.12. - 17.12.
Tänään: 10:00 - 17:00
Arvioitu toimitusaika: 15.12. - 17.12.
Arvioitu toimitusaika: 16.12. - 17.12.
Arvioitu toimitusaika: 15.12. - 16.12.
Arvioitu toimitusaika: 16.12. - 17.12.
Arvioitu toimitusaika: 16.12.
Arvioitu toimitusaika: 15.12. - 17.12.
Arvioitu toimitusaika: 15.12. - 17.12.
Arvioitu toimitusaika: 16.12.


